MX25L2006EZUI-12G TR_NW594导读

Micron的消费品牌Crucial推出了两条新的NVMe SSD产品线，包括其首款采用Micron内部SSD控制器设计的高端NVMe SSD。但是，Crucial对NVMe的采用仍然落后于大多数品牌，因为这两种新型号仍在使用PCIe 3接口，而高端市场正在向PCIe 4迁移。

例如小米 10/Pro 发布时，小米的雷军先生称搭载了美光科技公司的 LPDDR5 内存，带来了强悍的性能，例如与前代产品相比，数据访问速度提升了 50%，在游戏场景下功耗降低了约 20%！无独有偶，此后，更多的手机厂商推出了带 LPDDR5 的手机。在 5G 手机中，出现了一个新名词：LPDDR5。

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这表明NAND或控制器中的至少一个与250GB模型存在显着差异。Micron尚未透露P2上使用的控制器，但似乎他们是从第三方那里购买的，与以前的Crucial SSD一样，而且两种容量的控制器甚至可能都不相同。虽然两种容量的性能规格都在我们预期的四通道无DRAM NVMe SSD范围之内，但从大多数指标来看，500GB型号实际上是速度较慢的型号。

Crucial P2是他们的第二个入门级NVMe SSD，但它不能直接替代基于QLC的P1。P2至少初仅在250GB和500GB的低容量中可用，并且通过将无DRAM控制器与TLC NAND结合使用，而不是P1组合更便宜的QLC NAND与具有DRAM缓存的控制器，从而降低了成本。

Crucial P5是个使用Micron设计的控制器的零售SSD。他们内部SSD控制器的设计工作至少可以追溯到2015年对Tidal Systems的收购，但款采用Micron设计的SSD控制器的产品仅在一年前出现：Micron2200系列客户端OEM SSD。

具体来说，LPDDR4 是用两个 16 位通道组成 32 位总线，而 DDR4 却具备原生 64 位通道；LPDDR4 的 Prefetch 预读取位数为 16bit，而 DDR4 为 8bit；这在实际运算过程中，DDR4 的性能利用率会更高，但 LPDDR 却可以用更低的功耗来获取更高的理论性能。但从第四代开始，二者开始走上不同的发展道路，DDR 仍然通过提高频率来提升性能；而 LPDDR 为了获得更低的功耗，选择提高 Prefetch 预读取位数来提升性能。 。比如，LPDDR2 是在 DDR2 基础上演化而来的，依此类推。实际上，LPDDR 和 DDR 之间的关系很密切，简单来讲，LPDDR 是在 DDR 基础上演化而来的。

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MI1300 5W 5RK MNW243 8602GN TJ2997 BD235S T15SB1 C-6857 HEF607 MT8751 MI3130 SOC366 4422YN MT9V11 MBP085 OZ821L CLD20B 24C32B 。

JW818 JW804 JW834 JW812 JW806 Z9SZW Z9SFJ Z9SNT Z9SJW NW388 JW732 D9JRN D9QTF D9RVX Z9DNF Z9DGM FW263 JY552 。

NW238 JW960 D9FFH JY782 D9PCH D9GSP D9FBD D90QG D900G D9KGL FW258 D9BRC D9BXK JW722 JW391 。

0RBI2 2XA98 JW218 D9JTT Z9QBK D9KHQ D9GCK MT125 SFFMN D9FSV D9HCG D9FTP D9FQV D9KJL JW613 NH238 。

Micron 崭新的1TB ( 128GB ) 3D QLC NAND 晶片密度比MLC NAND 晶片多出33%，同时QLC 可以承受1,000 次P/E Cycle，虽然Micron 尚未公布产品的耐用度规格，但表示QLC SSD 将拥有近1 Drive Write/Day 的每日写入耐力，并通过标准的纠错技术实现更强大的续航能力，并达到JEDEC 的严格续航力要求。

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