MT18HTF25672FDY-80EE1D_JW729导读

美光赋予为数据中心服务的 5210一系列附加特性和技术，对写入负载进行动态管理，提高了性能的稳定性，增强了 5210 的耐用性，优化了 QLC 的使用寿命，确保 5210 满足 OEM 平台的生命周期需求。 。自两年前进入市场至今，5210 得到了良好的市场反响并通过了大多数主流服务器 OEM 厂商的验证，也印证了 QLC 技术在数据中心的成功导入。

内存对手机的稳定运行至关重要，高性能内存对手机整体流畅度的提升大有裨益。CPU 把需要运算的数据调到内存中进行，运算完成返回结果。如果我们看一下 2020 年小米 10 智能手机所配备的美光的 LPDDR5 内存，就会发现其速率达到了 5500Mbps，相当于每秒可传送 44GB 数据，大约为 12 个高清视频文件（3.7GB/个）。例如，当前智能手机所需应对的数据吞吐量正加速增长，对手机瞬时处理数据的能力（即内存性能）提出了更高要求。

MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR

在相同的外形规格、相似甚至更高的容量的基础上，性能却有了飞跃，加上与 10K HDD 相近的定价，让 5210 在同 10K HDD 竞争时有不言而喻的优势。以 5210 SSD 为例，相对 10K HDD 而言，5210 的随机读取速度快 175 倍，随机写入快 30 倍，顺序吞吐量提高 2 倍，能效提高 3 倍。

Micron已确认P2和P5 目前都在使用他们的96L 3D TLC NAND，但他们保留将来更改的权利。P5不太可能切换到QLC NAND，但与MX500 SATA驱动器一样，即使引入了更快的接口（PCIe 4）替代后，该型号也可能会存在多年。

500GB型号的耐用性等级也与250GB型号相同，即150TB，这使其处于QLC领域（尽管仍比500GB P1的100TBW等级更好）。500GB可能正在使用具有更高每个裸片容量的NAND部件，因此没有更大的并行性，或者它可能正在使用完全不同的控制器（或两者）。

P2至少初仅在250GB和500GB的低容量中可用，并且通过将无DRAM控制器与TLC NAND结合使用，而不是P1组合更便宜的QLC NAND与具有DRAM缓存的控制器，从而降低了成本。Crucial P2是他们的第二个入门级NVMe SSD，但它不能直接替代基于QLC的P1。

D90QG

D9STQ D9MLF JW341 D9KZH D9JQM D9QHL JW736 JW888 JW839 JW870 JW899 JW895 JW869 JW858 JW893 JW887 。

HAL576 HAL566 HAL546 HAL502 HAL401 HAL810 HAL880 HAL103 HAL102 HAL505 HAL108 HAL507 HAL501 HAL504 HAL207 4L1281 。

6206A 8109B S345L D9CHN MI366 PW340 MI-360 MI1330 BA6709 D22142 Z5308G SR4M32 MT5089 MI1320 。

JW818 JW804 JW834 JW812 JW806 Z9SZW Z9SFJ Z9SNT Z9SJW NW388 JW732 D9JRN D9QTF D9RVX Z9DNF Z9DGM FW263 JY552 。

存储芯诚隶属于深圳市美光存储技术有限公司，创始人前身任职于美光原厂PM部门，自从美光原厂出来后，其专注于为存储芯片提供解决方案，在库存数量、产品型号，复产方案及服务类型等多个维度，Memory享有业界极高的美誉。 随着业务量的扩大已与多家原厂供应商合作，XILINX、ALTERA、SAMSUNG、HYNIX、TI 、ADI、MAXIM、MICRON、INTEL、ST、NXP、DAVICOM、PLX、CYPRESS、MARVELL、AOS、ON、IR、FREESCALE、NS、AVAGO、TOSHIBA、DIODES 、RENESAS、 ATMEL等..致力于ARM、SDRAM、SRAM 、NAND、 FLASH、 DDR、FPGA、CPLD、MCU、DSP、MOS..。

目前，这款64MB的样品闪存采用了4x16的结构采用 FBGA 封装。随后将会有32、64和128Mb的产品。