MT46H16M32LFCM-6 IT TR_D9CHP导读

内存对手机的稳定运行至关重要，高性能内存对手机整体流畅度的提升大有裨益。CPU 把需要运算的数据调到内存中进行，运算完成返回结果。如果我们看一下 2020 年小米 10 智能手机所配备的美光的 LPDDR5 内存，就会发现其速率达到了 5500Mbps，相当于每秒可传送 44GB 数据，大约为 12 个高清视频文件（3.7GB/个）。例如，当前智能手机所需应对的数据吞吐量正加速增长，对手机瞬时处理数据的能力（即内存性能）提出了更高要求。

实际上，5G 不是突然发生的，可谓水到渠成。回顾移动通信发展历程，大约每 10 年更新，比如上世纪 90 年代是 2G，2000 年开启 3G，2010 年是 4G，步入 2020 年，当然步入 5G 时代了。

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这表明NAND或控制器中的至少一个与250GB模型存在显着差异。虽然两种容量的性能规格都在我们预期的四通道无DRAM NVMe SSD范围之内，但从大多数指标来看，500GB型号实际上是速度较慢的型号。Micron尚未透露P2上使用的控制器，但似乎他们是从第三方那里购买的，与以前的Crucial SSD一样，而且两种容量的控制器甚至可能都不相同。

P5还包括对所有常用加密标准的支持，许多高端NVMe SSD专门针对消费市场而不是企业客户而缺少的功能。Crucial P5是一个明显的提升，但仍使用PCIe gen3接口，因此它不会设置任何性能记录，并且随着这一年的发展，它将面临越来越多的PCIe gen4竞争对手。但是，除了苛刻的消费类用例外，它应该仍可提供稳定的性能，尤其是因为看起来英特尔今年不会提供PCIe gen4主机支持。

在相同的外形规格、相似甚至更高的容量的基础上，性能却有了飞跃，加上与 10K HDD 相近的定价，让 5210 在同 10K HDD 竞争时有不言而喻的优势。以 5210 SSD 为例，相对 10K HDD 而言，5210 的随机读取速度快 175 倍，随机写入快 30 倍，顺序吞吐量提高 2 倍，能效提高 3 倍。

在这种情况下，可以合理地预期P5将使用新一代的TLC NAND进行更新，并且性能可能不会发生显着变化。如果/当P2获得1TB或更大容量的选件时，它们似乎可能会使用QLC NAND，并且鉴于其额定性能与500GB P1差别不大，因此500GB模型也可能会切换到QLC。P2产品线很容易成为TLC和QLC的混合体，而Micron正是通过入门级BX500 SATA SSD做到了这一点。Micron已确认P2和P5 目前都在使用他们的96L 3D TLC NAND，但他们保留将来更改的权利。P5不太可能切换到QLC NAND，但与MX500 SATA驱动器一样，即使引入了更快的接口（PCIe 4）替代后，该型号也可能会存在多年。

D9QHL

6206A 8109B S345L D9CHN MI366 PW340 MI-360 MI1330 BA6709 D22142 Z5308G SR4M32 MT5089 MI1320 。

D9PFV D9PTH NX237 JW216 D9DJS D9VBD D9NZQ D9SFD JW706 D9SGK JWC07 D9BBN D9KJH D9QWN FW511 D9DVS D9PFJ D9MMQ 。

JW818 JW804 JW834 JW812 JW806 Z9SZW Z9SFJ Z9SNT Z9SJW NW388 JW732 D9JRN D9QTF D9RVX Z9DNF Z9DGM FW263 JY552 。

D9CVK D9JWV JWB16 D9CHM D9CDL Z9LBQ JWA61 0RB12 NQ297 JWA10 D9PZC JW723 DQJNT 8DB4I D9SBJ 。

Micron 崭新的1TB ( 128GB ) 3D QLC NAND 晶片密度比MLC NAND 晶片多出33%，同时QLC 可以承受1,000 次P/E Cycle，虽然Micron 尚未公布产品的耐用度规格，但表示QLC SSD 将拥有近1 Drive Write/Day 的每日写入耐力，并通过标准的纠错技术实现更强大的续航能力，并达到JEDEC 的严格续航力要求。

面对以上提及的这些难题，英特尔与美光负责工艺制程开发的合资公司——英特尔美光闪存科技(IMFT)一直在积极寻求缩小NAND单元尺寸的方法，并终成功开发和制造了个20nm设计规格下的高密度多层级NAND闪存。通过全平面浮栅单元设计的引入，IMFT也发明了全新的闪存架构。作为公认的NAND闪存制造工艺业内的企业，IMFT引入了结合高K/金属栅(HKMG)叠层技术的单元架构平坦化工艺。这种工艺可以攻克在20 nm及以下尺寸缩减过程中面临的许多物理和电子方面难题。。