MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR_D9RPL导读

Micron的消费品牌Crucial推出了两条新的NVMe SSD产品线，包括其首款采用Micron内部SSD控制器设计的高端NVMe SSD。但是，Crucial对NVMe的采用仍然落后于大多数品牌，因为这两种新型号仍在使用PCIe 3接口，而高端市场正在向PCIe 4迁移。

那么，5G 的优势是什么呢？ 5G 的速率更快，可达 10Gbps（10千兆比特每秒），是 4G 的 10~100 倍。有一个经典的“ 5G 之花”，说明了 5G 比 4G 的优势，可见除了速率更快之外，5G 空中接口的时延更低，只有 4G 的 1/5；峰值速率更高，是 4G 的 20 倍；移动性更快，是 4G 的 4 倍等特点。

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这表明NAND或控制器中的至少一个与250GB模型存在显着差异。虽然两种容量的性能规格都在我们预期的四通道无DRAM NVMe SSD范围之内，但从大多数指标来看，500GB型号实际上是速度较慢的型号。Micron尚未透露P2上使用的控制器，但似乎他们是从第三方那里购买的，与以前的Crucial SSD一样，而且两种容量的控制器甚至可能都不相同。

Micron已确认P2和P5 目前都在使用他们的96L 3D TLC NAND，但他们保留将来更改的权利。P5不太可能切换到QLC NAND，但与MX500 SATA驱动器一样，即使引入了更快的接口（PCIe 4）替代后，该型号也可能会存在多年。

Crucial P5尚未在在线零售商上列出，但是Crucial可以直接购买P2，并且开始在某些在线零售商上展示。发行价分别为55美元和65美元，与WD Blue SN550等竞争对手相似，但Western Digital为入门级NVMe硬盘设定了性能标准，而Crucial P2可能无法击败它。

比如，LPDDR2 是在 DDR2 基础上演化而来的，依此类推。但从第四代开始，二者开始走上不同的发展道路，DDR 仍然通过提高频率来提升性能；而 LPDDR 为了获得更低的功耗，选择提高 Prefetch 预读取位数来提升性能。实际上，LPDDR 和 DDR 之间的关系很密切，简单来讲，LPDDR 是在 DDR 基础上演化而来的。具体来说，LPDDR4 是用两个 16 位通道组成 32 位总线，而 DDR4 却具备原生 64 位通道；LPDDR4 的 Prefetch 预读取位数为 16bit，而 DDR4 为 8bit；这在实际运算过程中，DDR4 的性能利用率会更高，但 LPDDR 却可以用更低的功耗来获取更高的理论性能。 。

D9KJL

MI1300 5W 5RK MNW243 8602GN TJ2997 BD235S T15SB1 C-6857 HEF607 MT8751 MI3130 SOC366 4422YN MT9V11 MBP085 OZ821L CLD20B 24C32B 。

6206A 8109B S345L D9CHN MI366 PW340 MI-360 MI1330 BA6709 D22142 Z5308G SR4M32 MT5089 MI1320 。

D9BLS D9CKB D9DCB D9KJG VB125 D9BVX JW256 V1124 D9CKC D9LQS JW410 v5036 VND7N DP617 D9FGT 。

D9CKD VB325 D9CGH D9QSS FW320 D9HLB D9KWD 7660C L7135 8327B M2311 4057A ME501 M2301 M2306 M2307 M2303 M2310 。

Micron 崭新的1TB ( 128GB ) 3D QLC NAND 晶片密度比MLC NAND 晶片多出33%，同时QLC 可以承受1,000 次P/E Cycle，虽然Micron 尚未公布产品的耐用度规格，但表示QLC SSD 将拥有近1 Drive Write/Day 的每日写入耐力，并通过标准的纠错技术实现更强大的续航能力，并达到JEDEC 的严格续航力要求。

这可能是另一种情况，例如宣布推出的2TB Crucial P1比其他产品晚一些，但从未上市。Micron公司针对P2的新闻稿中提到它将提供高达1TB的容量，但规格表中并未提及1TB型号。