深圳市美光存储技术有限公司

(非本站正式会员)

深圳市美光存储技术有限公司

营业执照:已审核经营模式:所在地区:广东 深圳

收藏本公司 人气:66220

企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 
  • 会员类型:普通会员
  •  
  • Damon QQ:3007717031
  • 电话:0755-82771347
  • 手机:19925381482

产品分类

您的当前位置:

深圳市美光存储技术有限公司 > 新闻动态 > MT53B128M32D1NP-062 AIT:A_JW224

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A_JW224

发布时间: 2020/10/13 9:48:39 | 200 次阅读

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A_JW224导读

。作为内存和存储解决方案的,美光正处在一个独特的地位,其存储技术创新让数据在当下和未来得以快速无缝传输,加速数据向智能洞见的转化,进而帮助塑造未来。

5G 是第五代通信系统的简称,是从 2019 年开始进入大家的视野的 —— 2019 年 6 月 6 日,工业和信息部向中国移动、中国电信、中国联通、中国广电四家企业颁发了基础电信业务经营许可证,批准经营“第五代数字蜂窝移动通信业务”,至此,我国正式启动 5G 商用。


MT53B128M32D1NP-062 AIT:A_JW224


D9JWQ

在商业智能、实时分析、大数据、人工智能和机器学习等应用场景下,当工作负载对于数据的读取远超写入时,5210 QLC SSD 便可一展身手。不论是查询 10TB SQL 数据库、流媒体传输并根据流量进行调整,还是分析日常交易以调整业务模式,实时快速的读取都是关键所在。5210 让存储架构冲破硬盘技术的约束,专注于速度和规模,实现更高的基础设施灵活性和数据智能。相比之前的数小时,现在只需几分钟即可获得数据洞见。

在这种情况下,可以合理地预期P5将使用新一代的TLC NAND进行更新,并且性能可能不会发生显着变化。如果/当P2获得1TB或更大容量的选件时,它们似乎可能会使用QLC NAND,并且鉴于其额定性能与500GB P1差别不大,因此500GB模型也可能会切换到QLC。P2产品线很容易成为TLC和QLC的混合体,而Micron正是通过入门级BX500 SATA SSD做到了这一点。Micron已确认P2和P5 目前都在使用他们的96L 3D TLC NAND,但他们保留将来更改的权利。P5不太可能切换到QLC NAND,但与MX500 SATA驱动器一样,即使引入了更快的接口(PCIe 4)替代后,该型号也可能会存在多年。

他们内部SSD控制器的设计工作至少可以追溯到2015年对Tidal Systems的收购,但款采用Micron设计的SSD控制器的产品仅在一年前出现:Micron2200系列客户端OEM SSD。Crucial P5是个使用Micron设计的控制器的零售SSD。

在相同的外形规格、相似甚至更高的容量的基础上,性能却有了飞跃,加上与 10K HDD 相近的定价,让 5210 在同 10K HDD 竞争时有不言而喻的优势。以 5210 SSD 为例,相对 10K HDD 而言,5210 的随机读取速度快 175 倍,随机写入快 30 倍,顺序吞吐量提高 2 倍,能效提高 3 倍。


MT53B128M32D1NP-062 AIT:A_JW224


JY500

HAL210 HAL109 HAL508 HAL204 HAL523 HAL104 HAL516 BT136P DRX390 HAL100 56AZA2 HAL556 HAL221 HAL710 HAL503 HAL584 HAL830 HAL740 HAL203 。

HAL576 HAL566 HAL546 HAL502 HAL401 HAL810 HAL880 HAL103 HAL102 HAL505 HAL108 HAL507 HAL501 HAL504 HAL207 4L1281 。

D9BLS D9CKB D9DCB D9KJG VB125 D9BVX JW256 V1124 D9CKC D9LQS JW410 v5036 VND7N DP617 D9FGT 。

JW818 JW804 JW834 JW812 JW806 Z9SZW Z9SFJ Z9SNT Z9SJW NW388 JW732 D9JRN D9QTF D9RVX Z9DNF Z9DGM FW263 JY552 。

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A_JW224


Micron 64 层3D QLC NAND 在4 bit/Cell 提供16V 电压状态,这对于2D NAND 来说是不可能实现的,额外的电压会增加NAND 的压力,导致耐用性下降,同时在每个Cell 以16V 电压编程所需的时间也较长,并会导致性能下降。

目前,这款64MB的样品闪存采用了4x16的结构采用 FBGA 封装。随后将会有32、64和128Mb的产品。