MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR_JW869导读

这些全新的技术挑战需要存储器厂商更好的提升存储容量密度和读取速度。5G 时代高速传输速率的提升首当其冲的会对手机内存的读写速度提出更高的要求，同时因为射频模组尺寸的增大，留给内存空间的板级尺寸进一步被压缩，而高清视频和高速传输往往意味着高存储空间的占用，比如 4G 时代网速只能支持在线收看 720P 标清的电影，差不多 1.5G～6G 容量之间，但是到 5G 时代超清或者蓝光将成为可能，这时候应用空间需要达到 20-40G 左右。技术迭代的背后，是强大的工艺后盾。

智能手机的边缘计算就能够成为一个数据处理的枢纽，能够支持数据处理、人工智能并且减轻云计算的负载，使得很多云计算功能转移到手机计算，并且能把云计算和手机的计算枢纽进行无缝的对接和联合。

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这表明NAND或控制器中的至少一个与250GB模型存在显着差异。虽然两种容量的性能规格都在我们预期的四通道无DRAM NVMe SSD范围之内，但从大多数指标来看，500GB型号实际上是速度较慢的型号。Micron尚未透露P2上使用的控制器，但似乎他们是从第三方那里购买的，与以前的Crucial SSD一样，而且两种容量的控制器甚至可能都不相同。

P2至少初仅在250GB和500GB的低容量中可用，并且通过将无DRAM控制器与TLC NAND结合使用，而不是P1组合更便宜的QLC NAND与具有DRAM缓存的控制器，从而降低了成本。Crucial P2是他们的第二个入门级NVMe SSD，但它不能直接替代基于QLC的P1。

在商业智能、实时分析、大数据、人工智能和机器学习等应用场景下，当工作负载对于数据的读取远超写入时，5210 QLC SSD 便可一展身手。不论是查询 10TB SQL 数据库、流媒体传输并根据流量进行调整，还是分析日常交易以调整业务模式，实时快速的读取都是关键所在。5210 让存储架构冲破硬盘技术的约束，专注于速度和规模，实现更高的基础设施灵活性和数据智能。相比之前的数小时，现在只需几分钟即可获得数据洞见。

在相同的外形规格、相似甚至更高的容量的基础上，性能却有了飞跃，加上与 10K HDD 相近的定价，让 5210 在同 10K HDD 竞争时有不言而喻的优势。以 5210 SSD 为例，相对 10K HDD 而言，5210 的随机读取速度快 175 倍，随机写入快 30 倍，顺序吞吐量提高 2 倍，能效提高 3 倍。

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D9CVK D9JWV JWB16 D9CHM D9CDL Z9LBQ JWA61 0RB12 NQ297 JWA10 D9PZC JW723 DQJNT 8DB4I D9SBJ 。

MI1300 5W 5RK MNW243 8602GN TJ2997 BD235S T15SB1 C-6857 HEF607 MT8751 MI3130 SOC366 4422YN MT9V11 MBP085 OZ821L CLD20B 24C32B 。

JW818 JW804 JW834 JW812 JW806 Z9SZW Z9SFJ Z9SNT Z9SJW NW388 JW732 D9JRN D9QTF D9RVX Z9DNF Z9DGM FW263 JY552 。

D9CKD VB325 D9CGH D9QSS FW320 D9HLB D9KWD 7660C L7135 8327B M2311 4057A ME501 M2301 M2306 M2307 M2303 M2310 。

分析家指出，Elpida，Micron和其他DRAM制造商是为了赶上世界内存供应商韩国三星电子，而纷纷加大马力，奋起直追，同时也是为了能够跟上内存业快速发展的步伐。 　　英特尔此次投资对Micron 可谓雪中送炭。也就在今天，Micron 还刚刚公布公司亏损高达1.23亿美元。

同时，Flash Data Management软件可以使这种闪存更良好的运转和优化其性能。多区的结构可以使其针对不同的应用程序进行编码分割，从而改良功效。带给这种闪存芯片高性能的主要原因就是其特殊的结构，它采用了4Mb多区结构和快速的运算法则。