MT53D512M32D2DS-053 WT ES:D_JW858导读

这些全新的技术挑战需要存储器厂商更好的提升存储容量密度和读取速度。5G 时代高速传输速率的提升首当其冲的会对手机内存的读写速度提出更高的要求，同时因为射频模组尺寸的增大，留给内存空间的板级尺寸进一步被压缩，而高清视频和高速传输往往意味着高存储空间的占用，比如 4G 时代网速只能支持在线收看 720P 标清的电影，差不多 1.5G～6G 容量之间，但是到 5G 时代超清或者蓝光将成为可能，这时候应用空间需要达到 20-40G 左右。技术迭代的背后，是强大的工艺后盾。

实际上，5G 不是突然发生的，可谓水到渠成。回顾移动通信发展历程，大约每 10 年更新，比如上世纪 90 年代是 2G，2000 年开启 3G，2010 年是 4G，步入 2020 年，当然步入 5G 时代了。

D9TTQ

他们内部SSD控制器的设计工作至少可以追溯到2015年对Tidal Systems的收购，但款采用Micron设计的SSD控制器的产品仅在一年前出现：Micron2200系列客户端OEM SSD。Crucial P5是个使用Micron设计的控制器的零售SSD。

P2至少初仅在250GB和500GB的低容量中可用，并且通过将无DRAM控制器与TLC NAND结合使用，而不是P1组合更便宜的QLC NAND与具有DRAM缓存的控制器，从而降低了成本。Crucial P2是他们的第二个入门级NVMe SSD，但它不能直接替代基于QLC的P1。

这表明NAND或控制器中的至少一个与250GB模型存在显着差异。虽然两种容量的性能规格都在我们预期的四通道无DRAM NVMe SSD范围之内，但从大多数指标来看，500GB型号实际上是速度较慢的型号。Micron尚未透露P2上使用的控制器，但似乎他们是从第三方那里购买的，与以前的Crucial SSD一样，而且两种容量的控制器甚至可能都不相同。

Micron已确认P2和P5 目前都在使用他们的96L 3D TLC NAND，但他们保留将来更改的权利。P5不太可能切换到QLC NAND，但与MX500 SATA驱动器一样，即使引入了更快的接口（PCIe 4）替代后，该型号也可能会存在多年。

D900G

HAL576 HAL566 HAL546 HAL502 HAL401 HAL810 HAL880 HAL103 HAL102 HAL505 HAL108 HAL507 HAL501 HAL504 HAL207 4L1281 。

C-6578 C-6838 C-6577 C-6774 HAL730 HAL107 HAL106 HAL1XY HAL805 HAL320 HAL509 HAL201 HAL300 HAL574 HAL548 。

D9CVK D9JWV JWB16 D9CHM D9CDL Z9LBQ JWA61 0RB12 NQ297 JWA10 D9PZC JW723 DQJNT 8DB4I D9SBJ 。

D9CKD VB325 D9CGH D9QSS FW320 D9HLB D9KWD 7660C L7135 8327B M2311 4057A ME501 M2301 M2306 M2307 M2303 M2310 。

面对以上提及的这些难题，英特尔与美光负责工艺制程开发的合资公司——英特尔美光闪存科技(IMFT)一直在积极寻求缩小NAND单元尺寸的方法，并终成功开发和制造了个20nm设计规格下的高密度多层级NAND闪存。通过全平面浮栅单元设计的引入，IMFT也发明了全新的闪存架构。作为公认的NAND闪存制造工艺业内的企业，IMFT引入了结合高K/金属栅(HKMG)叠层技术的单元架构平坦化工艺。这种工艺可以攻克在20 nm及以下尺寸缩减过程中面临的许多物理和电子方面难题。。

这可能是另一种情况，例如宣布推出的2TB Crucial P1比其他产品晚一些，但从未上市。Micron公司针对P2的新闻稿中提到它将提供高达1TB的容量，但规格表中并未提及1TB型号。